东芝发布150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的[1]低导通电阻和改进的反向恢复特性有助于提高电源效率WM真人

2023-04-02 12:41:55

　　日本川崎--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会（“东芝”）推出了一款150V N沟道功率MOSFET “TPH9R00CQ5”。该产品采用最新一代[2]U-MOSX-H工艺WM真人，可用于工业设备开关电源，如数据中心和通信基站使用的电源。产品即日起开始出货。

　　TPH9R00CQ5具有业界领先的[1]9.0mΩ（最大值）低漏极-源极导通电阻，与东芝现有产品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了约42%。与东芝现有产品“TPH9R00CQH[4]”相比，反向恢复电荷降低了约74%，反向恢复[5]时间缩短了约44%，这都是同步整流应用所需的关键反向恢复特性。在同步整流应用[6]中，新产品可降低开关电源的功率损耗，提高效率。此外，与TPWM真人H9R00CQH相比，新产品降低了开关期间产生的尖峰电压，有助于减少电源的电磁干扰。该产品采用通用的表面贴装型SOP Advance(N)封装。

　　东芝还提供支持开关电源电路设计的工具。除了可以在短时间内验证电路功能的G0 SPICE模WM真人型外，能够准确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型现在也已上市。

　　东芝还开发了采用新产品的“用于电信设备的1kW非隔离Buck-Boost DC-DC 转换器”和“采用MOSFET的三相多电平逆变器”参考设计。这些设计即日起在东芝官网上线WM真人。新产品还可用于已经发布的“1kW全桥DC-DC 转换器”参考设计。

　　东芝将继续扩大功率MOSFET产品阵容，以减少功率损耗，提高电源效率和帮助改善设备效率。

　　注释：[1] 截至2023年3月。与其他150V产品比较。东芝调查。[2] 截至2023年3月。[3] 使用现有生成工艺U-MOSVIII-H的150V产品[4] 产品采用与TPH9R00CQ5相同的生成工艺，并具有相同的电压和导通电阻[5] MOSFET主体二极管从正向偏置切换到反向偏置的开关动作。[6] 如果新产品用于不进行反向恢复操作的电路，则功率损失相当于TPH9R00CQH的水平。

　　点击下面的链接，了解更多关于新产品的相关内容。U-MOSX-H系列150V MOSFET是高效开关电源的理想之选通过搭载150V MOSFET的多电平逆变器来提高效率

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　　东芝：150V N沟道功率MOSFET TPH9R00CQ5有助于提高电源效率。（图示：美国商业资讯）